XXX OPTICAL PRODUCTS CO., LTD

场效应晶体管(FET)是一种短期场效应管。主要有两种类型:结型FET——JFET和金属氧化物半导体FET(简称MOS-FET)。由大多数载流子导电，也称为单极晶体管。它是一个电压控制的半导体器件。具有输入电阻高(107 ~ 1015Ω)、噪音低、功耗低、动态范围大、易集成、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点。它已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争对手。

根据实际应用的要求，可以选择以下不同类型的功率二极管。(1)肖特基二极管。与普通的PN结整流二极管不同，它是单极二极管，所以它不受充电过程和反向恢复时间TRR的影响(一般几十纳秒左右)。从器件结构的角度，得到了减小正向压降与增大反向漏电流之间的权衡。适用于输出电压和正向压降较低的换流电路(典型值为0.3V)。二极管的反向阻断电压在50到100V之间。(2)快速恢复二极管。用于具有可控开关的高...

高速响应光测量这些雪崩光电二极管(apd)是具有内部增益机制的硅光电二极管。与传统的光电二极管一样，吸收入射光子会产生成对的电子和空穴。高反向偏置电压产生一个强大的内部电场，加速电子通过硅晶格，并通过碰撞电离产生次级电子。由此产生的电子雪崩能产生几百倍的放大增益。硅雪崩光电二极管通常用于光电倍增管的光信号太强或传统光电二极管的光信号太弱的时候。硅雪崩光电二极管经常用于高速应用，因为雪崩过程产...